ICP-MSによるけい素(Si)分析では、N2+ や CO+ などの多原子イオンによるスペクトル干渉が課題となります。そのため従来は水素(H2)リアクションガスを用いた干渉除去が一般的でしたが、分析感度や測定条件の最適化にはさらなる改善が求められています。 また、半導体材料や高純度化学品などの分野では、より高感度かつ高精度なSi分析が必要とされており、新たな干渉除去アプローチへの関心が高まっています。
本資料では、NexION 5000 ICP-MSを用いたアンモニアリアクションガスによるSi分析について、マスシフト法の原理からガス流量最適化、ヘリウム添加による感度向上効果、検量線評価、検出下限評価まで詳しく解説しています。さらに、ユニバーサルセルテクノロジー(UCT)を活用した干渉除去メカニズムや、従来のH2オンマス法に代わる新しいSi分析アプローチをご確認いただけます。
必須事項入力、送信いただくと資料のダウンロード・請求、または動画視聴いただけます。 ※競合企業様のご利用はご遠慮いただいております。あらかじめご了承ください。
※必須この項目は必ず入力してください。