Application Note Requestガス交換装置（Gas Exchange Device : GED）ICP-MSを使用した塩化水素ガス中の金属不純物の直接分析

現在の生活環境において、半導体はあらゆる電気を使用する機器に使用され、欠かせないデバイスになっています。そして、集積度が高くエネルギー消費を抑えた上で、より高速かつ小さなチップの需要が高まっています。半導体製造プロセスにおける金属汚染源は、Si ウェーハ自体をはじめ、製造に用いられるガスや化学物質、製造設備および施設に至るまであらゆる所に存在します。そのため、極微量の金属汚染を正確に測定できる機器が不可欠となります。
このアプリケーションノートでは、PerkinElmer のNexION 5000 マルチ四重極ICP-MS とMSAG を組み合わせたGEDICP-MS システムによるHCl ガス中の金属不純物の分析について紹介します。