Application Note DownloadFTIRとMappIRによるシリコンウェーハの不純物測定

シリコンウェーハの生産は、特に家庭用電化製品、自動車産業および市場が拡大している太陽光発電業界における半導体需要の増加に伴い、今後数年間で成長すると予想されています。CZ 法（Czochralski 法）は、シリコンウェーハ製造の生産法として最も広く採用されています。CZ法では、微量の不純物、特に炭素と酸素が含まれます。しかし、CZ 法で製造される単結晶シリコンは、耐熱性に優れ早く低コストで製造できるというメリットがあります。さらに、不純物として含まれる酸素のゲッタリング作用により、金属元素の混入を防ぐという利点もあります。
製造工程ではシリコンウェーハ中の炭素および酸素の含有量が規定値以内であることを検査する必要があります。これは、電気的な欠陥や製品の故障/ 不合格品を未然に防ぐためです。
このアプリケーションノートでは、パーキンエルマーのSpectrum 3 FTIR とPIKE technologies 社製MappIR アクセサリを使用したシリコンウェーハの不純物の定量分析をご紹介します。