半導体産業では、非常に複雑な試料マトリックスや腐食性の高い酸の分析において、サブppb 領域のような超微量の金属を定量できる分析技術が求められています。これらの要求に応えるためには、誘導結合プラズマ質量分析法（ICP-MS）のような高性能な手法が好まれています。しかし、製造プロセスや設備のトラブル時には、アルカリ元素や遷移元素など、環境起因に代表されるいくつかの元素を簡単かつ迅速に測定することが必要な場合もあります。このような時は、グラファイトファーネス原子吸光分析法（GFAAS）が非常に有効です。グラファイトファーネス原子吸光分析法は、有機フォトレジストや腐食性のある高濃度の酸などの超微量分析には欠かせない、元素の予備濃縮も簡単に行えます。