半導体デバイスの製造時には、シリコンウェーハに汚染物質や不純物がないことを確認することが重要です。
半導体メーカーの要求によって分析対象リストに次々と元素が追加されていく中で、誘導結合プラズマ質量分析（ICP-MS）法による極微量不純物の測定が一般的に行われるようになりました。ICP-MS 分析では、Ar、O2、N2、およびH2 由来のスペクトル干渉に加えて、HCl がさらにいくつかの多原子イオン干渉を生成する可能性があります。
本アプリケーションノートでは、NexION 5000 マルチ四重極ICP-MS を用い、塩酸中に含まれる不純物元素を分析した結果を紹介します。