半導体製造プロセスにおける金属汚染源は、Si ウェーハ自体をはじめ、製造に用いられるガスや化学物質、製造設備および施設に至るまであらゆる所に存在します。そのため、極微量の金属汚染を正確に測定できる機器が不可欠となります。誘導結合プラズマ質量分析計（ICP-MS）は、その優れた検出能力から半導体分野における金属不純物を検出するための最も一般的な分析ツールです。
このアプリケーションノートでは、PerkinElmer のNexION 5000 マルチ四重極ICP-MS とMSAG を組み合わせたGEDICP-MS システムによるHCl ガス中の金属不純物の分析について紹介します。